特許
J-GLOBAL ID：200903062926816285
高周波用の自己アライメント式電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-510350
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505951
出願日： 1995年09月15日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】ソース抵抗が低く動作周波数が高い金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)が開示される。MESFETは、炭化ケイ素のエピタキャシャル層と、2つのトレンチ・エッジ間に炭化ケイ素ゲート表面を露呈するエピタキャシャル層中のゲート・トレンチとを含んでいる。ゲート接点はゲート表面に接触し、トレンチはさらにトランジスタのソース領域とドレイン領域を画定する。各オーム金属層がエピタキャシャル層のソースおよびドレイン領域上にオーム接触面を形成し、トレンチの金属層のエッジがトレンチのエピタキャシャル層のエッジに本質的に自己アライメントするよう構成される。
請求項（抜粋）：
ソース抵抗が低く動作周波数が高い電界効果トランジスタ(FET)であって、 第1導電型をもつ炭化ケイ素のエピタキャシャル層と、 前記エピタキシャル層中にあるゲート・トレンチと、ここで、該ゲート・トレンチの各エッジ間に炭化ケイ素のゲート表面を露呈し、前記ゲート・トレンチは前記トランジスタのソース領域とドレイン領域を画定する、 前記ゲート表面への整流ゲート接合部と、 前記エピタキャシャル層の前記ソース領域およびドレイン領域上にオーム接触面を形成する各オーム金属層と、を含み、 前記トレンチにおける前記金属層のエッジが前記トレンチにおける前記エピタキャシャル層の前記エッジに本質的にアライメントされていることを特徴とする前記FET。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 C
