半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101099
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 SiCを用いた半導体装置において、オーミック電極領域での低抵抗化をはかる。【解決手段】 SiC領域101とこのSiC領域上に形成された電極領域とを有する半導体装置において、電極領域はx>0.5であるSix C1-x 層102と炭化物生成エンタルピーが負の値を持つ第1の元素の炭化物からなる層105とを含んで構成されている。

請求項（抜粋）：

SiC領域とこのSiC領域上に形成された電極領域とを有する半導体装置であって、前記電極領域はx>0.5であるSix C1-x 層を含んで構成されていることを特徴とする半導体装置。

Fターム (30件)：

4M104AA03 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB34 , 4M104BB37 , 4M104BB38 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 4M104DD78 , 4M104DD91 , 4M104GG03 , 4M104HH15 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭62-081764
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179355 出願人：ローム株式会社
炭化珪素半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-200434 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

特開昭62-081764
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179355 出願人：ローム株式会社
炭化珪素半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-200434 出願人：株式会社日立製作所

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