特許

J-GLOBAL ID：200903008128095230

半導体装置

発明者： 小林 節子 ,  四戸 孝 ,  滝川 修 ,  今井 聖支 ,  藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101099
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 SiCを用いた半導体装置において、オーミック電極領域での低抵抗化をはかる。【解決手段】 SiC領域101とこのSiC領域上に形成された電極領域とを有する半導体装置において、電極領域はx>0.5であるSix C1-x 層102と炭化物生成エンタルピーが負の値を持つ第1の元素の炭化物からなる層105とを含んで構成されている。

請求項（抜粋）：

SiC領域とこのSiC領域上に形成された電極領域とを有する半導体装置であって、前記電極領域はx>0.5であるSix C1-x 層を含んで構成されていることを特徴とする半導体装置。

Fターム (30件)：

4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB34 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-081764
  
• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179355   出願人：ローム株式会社
• 炭化珪素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-200434   出願人：株式会社日立製作所
• SiCへの電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295575   出願人：新日本無線株式会社