特許
J-GLOBAL ID：200903008902511187

スタティックRAM

発明者：
ミン-ヨウン ヨウ

ミン-ヨウン ヨウ について


出願人/特許権者：
エルジー セミコン カンパニー リミテッド

エルジー セミコン カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003593
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】スタンバイ電流を低減させ、データ維持電圧を制御し得る低電力スタティックラムのセル構造を提供する。【解決手段】データ維持モード信号及びチップ選択信号/CSを否定論理積するNANDゲートND21と、NANDゲートND21の出力を反転させるインバータINV21 と、インバータINV21 の出力がゲートに外部電圧VCCがソースに印加されてドレインがセル電圧VCEを出力するPMOSトランジスタPM21と、外部電圧VCCがゲート及びドレインに印加されるNMOSトランジスタNM21と、NMOSトランジスタNM21のソースに連結されてセル電圧VCEを出力する抵抗RCL とを備えたセル負荷制御部20と、データ維持電圧検出部10と、負荷抵抗セル30と、からSRAMを構成する。
請求項（抜粋）：
外部電圧のレベルを検出する電圧検出手段と、該電圧検出手段の検出信号とスタティックRAMのチップ選択信号とに基づいてセルに対する印加電圧を制御する印加電圧制御手段と、を備えたことを特徴とするスタティックRAM。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
  • 特開平4-162293
  • 特開昭60-125993
  • 特開平4-162293
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