特許

J-GLOBAL ID：200903008913013383

半導体装置およびその作製方法

発明者： 有田 睦信 ,  山本 栄一 ,  池田 浩一 ,  岡崎 幸夫 ,  土屋 敏章 ,  江原 孝平 ,  中山 諭
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141385
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293717
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造過程において、大気中の水分子がゲート酸化膜中に到達しても排出あるいは除去できる構造となし、半導体装置のホットキャリア耐性を向上させた新規な構造の半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】少なくとも絶縁体層を有する半導体装置において、半導体装置内部の絶縁体層の一部に、水分を吸収する性能を有する吸湿性材料を、大気に暴露されない構造として配設した半導体装置とする。具体的には、多層配線を有する半導体装置において、第1の層間絶縁膜としてボロンとリンをドープしたシリコンガラス(BPSG)膜を堆積し、第1の層間絶縁膜上に、第2の層間絶縁膜としてアンドープのSiO2膜を少なくとも堆積した層間絶縁膜構造を持つ半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも絶縁体層を有する半導体装置において、該半導体装置内部の絶縁体層の一部に、水分を吸収する性能を有する吸湿性材料を大気に暴露されない構造として配設したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-291657   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-049117   出願人：株式会社日立製作所