特許
J-GLOBAL ID：200903008918539383
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390563
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261380
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の加工精度および生産効率を高めること。【解決手段】 半導体レーザ装置は、半導体基板2の上面に、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6が生成されている。また、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6は、エッチングによってリッジ部12をなしている。さらに、半導体基板2の下面に負電極1が生成され、多層膜基板31の上面には導電体層7が生成されている。また、導電体層7は、リッジ部12の側面において少なくとも150nmの厚みを有し、リッジ部12は砂時計形の断面形状を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に多層膜構造のリッジ部を形成した半導体装置において、少なくとも、前記リッジ部の上面と前記リッジ部の長手方向側面の一方とを被覆する導電体層を備え、当該導電体層の前記リッジ部の長手方向側面における膜厚は150nm以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/042 612
, H01S 5/042 614
H01S 5/042 612
, H01S 5/042 614
5F073AA13
, 5F073AA61
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA28
, 5F073EA29
