特許
J-GLOBAL ID：200903056629177273
半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲村 悦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106473
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 低電圧動作が可能でかつへき開により端面の形成が可能な窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板上にGaN層を成長させ、GaN層上にSiO2膜を形成した後、横方向成長技術を用いてGaN層上およびSiO2膜上にMQW発光層8を含むGaN系半導体層18を成長させる。SiO2膜上の領域を除いてGaN系半導体層をエッチングにより除去した後、SiO2膜上のGaN系半導体層18の上面にp電極13を形成し、GaN系半導体層18上のp電極13をGaAs基板14上のオーミック電極15aに接合する。GaN系半導体層18の上面にn電極17を形成する。
請求項（抜粋）：
ガリウム砒素基板上に第1の電極層を介してホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体層が接合されるとともに、前記窒化物半導体層の上面に第2の電極層が形成されたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 33/00 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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