特許
J-GLOBAL ID：200903081620089708

半導体レーザ

発明者：
鴫原 君男

鴫原 君男 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233883
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 上クラッド層のリッジ部とリッジ部の外側部分との屈折率差によって生じる幅方向の屈折率分布が導波光に対して与える影響が小さくし、キンク発生の原因である高次モードの発生を防ぐことを課題とする。【解決手段】 厚さ方向の屈折率分布が活性層7aから見て非対称形となるよう、基板2側のn-AlGaAs下クラッド層10aの厚さ及び屈折率を、リッジ側のp-AlGaAs上クラッド層4aよりそれぞれ厚くかつ大きくなるようにした。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に配置されており、屈折率が基板から離れるにつれて増加する第1半導体層と、該第1半導体層上に配置された活性層と、該活性層上に配置されており、屈折率が上記活性層から離れるにつれて減少する、その上部がリッジ形状を有する第2半導体層とを備え、上記半導体基板の高さ方向において、光強度分布が上記活性層を中心として基板側にシフトするように、上記活性層から見たリッジ形状側と基板側との屈折率分布を非対称となるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (14件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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