特許
J-GLOBAL ID：200903008955632849

記憶装置

発明者：
木村 睦

木村 睦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333492
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156183
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 大容量であるにもかかわらず、高集積度、少配線である記憶装置を、実現することを目的とする。【解決手段】 第1の配線と第2の配線と第3の配線が、3次元空間で互いに直交する3平面上に形成され、各配線の交点に、記憶素子が形成される。3次元行列で表されるデータD(i,j,k)が、i番目の第1の配線と、j番目の第2の配線と、k番目の第3の配線との交点に形成されている、記憶素子に記憶される。記憶素子が、トランジスタと静電容量で構成されている。トランジスタが、薄膜トランジスタである。薄膜トランジスタが、摂氏600度以下の低温プロセスで形成される。トランジスタが、剥離基板上に一旦形成されたトランジスタを剥離し、他の基板上に転写することにより形成される。
請求項（抜粋）：
第1の配線と第2の配線と第3の配線が、3次元空間で互いに直交する3平面上に形成され、各配線の交点に、記憶素子が形成されていることを特徴とする、記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L 27/00 301 C ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 681 Z ,  H01L 29/78 613 B
Fターム (40件)：
5F033NN37 ,  5F033UU05 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F083AD02 ,  5F083AD11 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F110AA04 ,  5F110AA17 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL23 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開昭62-259285
  • 特開平4-162665
  • 剥離方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300371   出願人：セイコーエプソン株式会社
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審査官引用 (8件)
  • 特開昭62-259285
  • 特開昭62-259285
  • 特開昭62-259285
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