半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：紋田誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362238
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176889
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】リードフレームに半導体チップをダイボンディングするに際し、はんだのプリフォーム工程をなくすとともに、リードフレームのダイパッドサイズとほぼ同等のサイズのチップをダイボンディングすること。【解決手段】複数の半導体素子12が作り込まれており、裏面にメタル部が形成されている半導体ウエハ11と、この半導体ウエハ11の裏面のメタル部であって、各半導体素子12部分毎にそれぞれ個別に接合されたはんだ材13とを有する。この半導体ウエハに作り込まれている半導体素子単位にダイシングすることで、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層が設けられている半導体チップが形成される。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が作り込まれており、裏面にメタル部が形成されている半導体ウエハと、この半導体ウエハの裏面のメタル部であって、前記各半導体素子部分毎にそれぞれ個別に接合されたはんだ材と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 , B23K 1/00 330 , B23K 3/06

FI (4件)：

H01L 21/52 C , H01L 21/52 G , B23K 1/00 330 E , B23K 3/06 G

Fターム (8件)：

5F047BA01 , 5F047BA18 , 5F047BA19 , 5F047BB03 , 5F047BB05 , 5F047BB18 , 5F047BB19 , 5F047CB01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-275441
特開昭58-017625
特開昭62-219530

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