特許
J-GLOBAL ID:200903008958999956

陰イオン交換樹脂

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-312063
公開番号(公開出願番号):特開2002-119872
出願日: 2000年10月12日
公開日(公表日): 2002年04月23日
要約:
【要約】【課題】 金属含有量が著るしく少ない塩型の陰イオン交換樹脂を提供する。【解決手段】 スチレン-ジビニルベンゼン架橋共重合体に、塩化亜鉛などのルイス酸の存在下にクロロメチルメチルエーテルを反応させてクロロメチル化し、次いでこれにトリメチルアミン等を反応させて陰イオン交換樹脂とし、これを塩酸水溶液で洗浄してその金属含有量を100ppm以下にまで低減させる。
請求項(抜粋):
モノビニルモノマーとポリビニルモノマーとの架橋共重合体を母体とし、1級ないし3級アミノ基又は第4級アンモニウム基をイオン交換基とする陰イオン交換樹脂であって、イオン交換基が塩型であり、かつ金属含有量が100ppm以下であることを特徴とする陰イオン交換樹脂。
IPC (4件):
B01J 41/14 ,  C08F 6/02 ,  C08F 8/32 ,  C08F212/00
FI (4件):
B01J 41/14 B ,  C08F 6/02 ,  C08F 8/32 ,  C08F212/00
Fターム (9件):
4J100AB02P ,  4J100AB16Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA23 ,  4J100CA31 ,  4J100GC04 ,  4J100HA27 ,  4J100HA31 ,  4J100JA16
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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