特許

J-GLOBAL ID：200903008973632791

研磨装置及び研磨方法、並びに半導体装置の製造方法。

発明者： 福 島 大 ,  南 幅 学 ,  矢 野 博 之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-353393
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123232
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 プロセス性能を低下させることなく、スラリ使用量の削減を可能にする研磨方法及び研磨装置、並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 研磨布10は、第1層11、第2層12を有し、第1層11上にスラリが滴下されると、第1層11の貫通孔13を介して第2層12に供給され、遠心力で周方向に拡散して一旦内部に蓄積される。研磨手段により押圧されると、蓄積されたスラリが第2層12から染み出し、第1層11の貫通孔13を介して表面上に排出され、被研磨対象物の表面に均一に供給される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

回転可能なターンテーブルと、 前記ターンテーブル上に配設された研磨布と、 前記研磨布の表面上にスラリを供給するスラリ供給管と、 前記研磨布の表面に被研磨対象物を押圧して前記被研磨対象物を研磨する研磨手段と、 を備え、 前記研磨布は、供給された前記スラリを一旦内部に蓄積し、前記研磨手段により押圧されて蓄積した前記スラリを排出することで、前記被研磨対象物の表面に供給することを特徴とする研磨装置。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (5件)：

H01L21/304 622E ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 C ,  B24B37/00 K

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化学的機械研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-251126   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

• 研磨パッド及びこれを用いた被表面処理加工物の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-205563   出願人：ソニー株式会社