特許

J-GLOBAL ID：200903008980931907

シリコン単結晶基板、エピタキシャルウエーハおよびこれらの製造方法

発明者： 飯田 誠
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190915
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002786
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 高濃度のボロンがドープされ、かつ、窒素もドープされたp+ 基板にエピタキシャル層を形成したp/p+ -EPウエーハのエピ表面から結晶欠陥が排除され、ゲッタリング能力の高い高品質、高機能のエピタキシャルウエーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 エピタキシャルウエーハの基板となるシリコン単結晶基板であって、窒素および高濃度にボロンがドープされ、かつV/G(ここに、V:引上げ速度、G:結晶温度勾配とする)値がOSFリング領域内の微小転位発生領域の下限値とI-リッチ領域の上限値の間となる条件で育成された単結晶であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ用のシリコン単結晶基板、およびその上にエピ層を形成したエピタキシャルウエーハ。

請求項（抜粋）：

エピタキシャルウエーハの基板となるシリコン単結晶基板であって、窒素および高濃度のボロンがドープされ、かつV/G(ここに、V:引上げ速度、G:結晶中の固液界面近傍の結晶軸方向温度勾配とする)値がOSFリング領域内の微小転位発生領域の下限値とI-リッチ領域の上限値の間となる条件で育成された単結晶であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ用のシリコン単結晶基板。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA10 ,  4G077EB01 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PF55 ,  5F053AA14 ,  5F053DD01 ,  5F053GG01 ,  5F053JJ01 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒素ド-プした低欠陥シリコン単結晶ウエ-ハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022919   出願人：信越半導体株式会社
• エピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-051784   出願人：信越半導体株式会社