特許
J-GLOBAL ID：200903007295645725
窒素ド-プした低欠陥シリコン単結晶ウエ-ハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022919
公開番号（公開出願番号）：特開2000-053497
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：
【要約】【課題】 制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、V-リッチ領域およびI-リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるN-領域からなるCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。【解決手段】 CZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がN-領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。具体的には、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図のN-領域内で結晶を引上げる場合において、窒素をドープしながら結晶を引上げる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、窒素がドープされ、かつ、全面N-領域であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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