特許
J-GLOBAL ID：200903060484488167

積層体およびその形成方法ならびに絶縁膜および半導体装置

発明者：
山中 達也

山中 達也 について

, 
関口 学

関口 学 について

, 
三田 倫広

三田 倫広 について

, 
小久保 輝一

小久保 輝一 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-009206
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203603
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 低い比誘電率を有し、密着性に優れた積層体およびその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の積層体は、第1のシリカ系膜と、第2のシリカ系膜と、有機系膜とを含み、前記第2のシリカ系膜は、前記第1のシリカ系膜および有機系膜のいずれよりも比誘電率が低い膜である。 本発明の積層体の形成方法は、第1のシリカ系膜のための膜形成用組成物を基材の上に塗布した後乾燥させて、第1の塗布膜を形成する工程、第2のシリカ系膜のための膜形成用組成物を前記第1の塗布膜上に塗布した後乾燥させて、第2の塗布膜を形成する工程、有機系膜のための膜形成用組成物を前記第2の塗布膜上に塗布した後乾燥させて、第3の塗布膜を形成する工程、および加熱もしくはエネルギー線の照射によって、前記第1,第2および第3の塗布膜を硬化する工程、を含む。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
第1のシリカ系膜と、第2のシリカ系膜と、有機系膜とを含み、 前記第2のシリカ系膜は、前記第1のシリカ系膜および有機系膜のいずれよりも比誘電率が低い膜である、積層体。
IPC (4件)：
H01L21/312 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  H01L21/768
FI (5件)：
H01L21/312 N ,  B32B7/02 104 ,  B32B27/00 101 ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 V
Fターム (55件)：
4F100AA20 ,  4F100AH06A ,  4F100AH06B ,  4F100AK01C ,  4F100AK43C ,  4F100AK52A ,  4F100AK52B ,  4F100AK54C ,  4F100AK55C ,  4F100AK56C ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100BA25 ,  4F100EH46 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ422 ,  4F100EJ52 ,  4F100EJ522 ,  4F100EJ86 ,  4F100EJ862 ,  4F100GB41 ,  4F100JA13A ,  4F100JA13B ,  4F100JG05 ,  4F100JG05A ,  4F100JG05B ,  4F100JL11 ,  4F100JM02A ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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