積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大渕美千栄 , 布施行夫 , 井上一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-313715
公開番号（公開出願番号）：特開2005-199697
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】低い比誘電率を有し、密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の積層体は、第1のシリカ系膜と、第2のシリカ系膜と、有機系膜とを含み、前記第2のシリカ系膜は、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を有する1価の有機基を有する。本発明の積層体の形成方法は、基材の上に第1のシリカ系膜のための第1の塗膜を形成し、前記第1の塗膜の上に、第2のシリカ系膜のための炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を有する1価の有機基を有する第2の塗膜を形成し、前記第2の塗膜の上に、前記有機系膜のための第3の塗膜を形成し、前記第1〜第3の塗膜からなる積層膜を硬化すること、を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第1のシリカ系膜と、第2のシリカ系膜と、有機系膜とを含み、前記第2のシリカ系膜は、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を有する1価の有機基を有する、積層体。

IPC (5件)：

B32B27/00 , C09D183/02 , C09D183/07 , C09D183/14 , H01L21/312

FI (5件)：

B32B27/00 101 , C09D183/02 , C09D183/07 , C09D183/14 , H01L21/312 N

Fターム (71件)：

4F100AA20 , 4F100AK01C , 4F100AK49C , 4F100AK52A , 4F100AK52B , 4F100AK53C , 4F100AK54C , 4F100AT00D , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA10C , 4F100BA10D , 4F100EG00 , 4F100EH461 , 4F100EH462 , 4F100EJ082 , 4F100EJ412 , 4F100EJ532 , 4F100GB41 , 4F100JG04 , 4F100JG05 , 4F100JK06 , 4F100YY00 , 4J038DL021 , 4J038DL101 , 4J038DL161 , 4J038MA07 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038PA06 , 4J038PB09 , 4J038PC05 , 4J246AA02 , 4J246AA03 , 4J246AB15 , 4J246BA14 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246BB16X , 4J246BB160 , 4J246BB161 , 4J246CA13X , 4J246CA130 , 4J246CA330 , 4J246CA34X , 4J246CA340 , 4J246CA36X , 4J246CA360 , 4J246FA131 , 4J246FB271 , 4J246GB28 , 4J246GB29 , 4J246GC37 , 4J246GD08 , 4J246HA62 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AB01 , 5F058AB06 , 5F058AC02 , 5F058AC03 , 5F058AD02 , 5F058AD04 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG10 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (2件)

膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-158673 出願人：ジェイエスアール株式会社
離型フイルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209505 出願人：帝人株式会社

審査官引用 (1件)

離型フイルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209505 出願人：帝人株式会社

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