特許
J-GLOBAL ID:200903009040574266

嵌合型接続端子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-294075
公開番号(公開出願番号):特開平11-135226
出願日: 1997年10月27日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 銅亜鉛合金の母材を使用した場合であっても安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下できる嵌合型接続端子の製造方法を提供する。【解決手段】 母材1の表面に近い側から順にニッケルめっき層2、銅めっき層3、錫めっき層4を形成する。これに150°C以上170°C以下の温度条件において熱処理を施す。この温度域では、銅は錫中を容易に拡散して錫めっき層4と銅めっき層3との界面近傍からCu6Sn5層5が生成され、合金化が促進される。Cu6Sn5層5は錫めっき層4の表面と平行に均一に成長するため、錫めっき層2を薄く残留させるような熱処理条件とすれば、端子表面の見かけの硬度を高めることができ、安定した接触抵抗を維持したまま端子の挿入力を低下することができる。ニッケルめっき層2は、亜鉛の拡散防止層として作用し、母材1中の亜鉛が錫めっき層4の表面まで拡散して、酸化亜鉛を形成するのを防止できる。
請求項(抜粋):
銅亜鉛合金を母材とする雄部品および雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、(a) 前記雄部品または前記雌部品のうち少なくとも一方の銅亜鉛合金母材の表面にニッケルめっき層を形成するニッケルめっき工程と、(b) 前記ニッケルめっき層の表面に銅めっき層を形成する銅めっき工程と、(c) 前記銅めっき層の表面に錫めっき層を形成する錫めっき工程と、(d) 前記錫めっき層が形成された前記銅亜鉛合金母材に熱処理を行って前記錫めっき層のうち前記銅めっき層との界面近傍のみをCu6Sn5に合金化する熱処理工程と、を備えることを特徴とする嵌合型接続端子の製造方法。
IPC (2件):
H01R 43/16 ,  H01R 13/03
FI (2件):
H01R 43/16 ,  H01R 13/03 A
引用特許:
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る