特許
J-GLOBAL ID:200903009075165636

エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-250774
公開番号(公開出願番号):特開2004-095199
出願日: 2002年08月29日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】薄型化を実現することができるEL装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】EL装置10は、第1の電極30と、第1の電極30上に設けられたEL層40と、EL層40を覆うように設けられた第2の電極50と、第2の電極50に直接接触して設けられたバリア層52と、を有する。第2の電極50の少なくともバリア層52側の面は、無機酸化物で形成されてなる。バリア層52の少なくとも第2の電極50側の面は、無機化合物で形成されてなる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1の電極と、 前記第1の電極上に設けられたエレクトロルミネセンス層と、 前記エレクトロルミネセンス層を覆うように設けられた第2の電極と、 前記第2の電極に直接接触して設けられたバリア層と、 を有し、 前記第2の電極の少なくとも前記バリア層側の面は、無機酸化物で形成されてなり、 前記バリア層の少なくとも前記第2の電極側の面は、無機化合物で形成されてなるエレクトロルミネセンス装置。
IPC (4件):
H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (4件):
H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
Fターム (5件):
3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB02 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02
引用特許:
審査官引用 (4件)
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