横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025253
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231730
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】高い耐圧性能を維持した上で、さらにオン抵抗を低くすることができる構造を有する横型JFETおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上の第1導電型半導体層2と、その上の第2導電型不純物を含む第2導電型半導体層3,4と、その上の第2導電型電極層5と、第2導電型半導体層3,4内にいたる深さのトレンチ11と、トレンチの底部下方の第2導電型半導体層に、第1導電型不純物を含む第1導電型の不純物領域7a,7bが配置されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に位置する第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の上に位置し、第2導電型不純物を含む第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層の上に位置する当該第2導電型半導体層よりも高濃度の第2導電型不純物を含む第2導電型電極層と、前記第2導電型電極層を通り第2導電型半導体層内にいたる深さのトレンチとを備え、前記トレンチの底部と前記第1導電型半導体層との間の前記第2導電型半導体層において、第1導電型不純物を含む第1導電型の不純物領域が配置されている、横型接合型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/337 , H01L 29/808

Fターム (10件)：

5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC02 , 5F102GC03 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GR03 , 5F102HC01 , 5F102HC07

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-212475
インバータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-020215 出願人：住友電気工業株式会社, 松波弘之, 木本恒暢
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012377 出願人：株式会社東芝

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