特許
J-GLOBAL ID:200903009081587755

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 久保山 隆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-025053
公開番号(公開出願番号):特開2001-217075
出願日: 2000年02月02日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】導電性高分子を含む層を有し、かつ画素ピッチが小さい場合にも隣接する画素間のリーク電流が大きくならない有機EL素子を簡便に得る。【解決手段】所望のパターンに形成された電極を有する基板上に、電極を覆って、脱ドープされた導電性高分子を含む層を形成して、又は導電性高分子を含む層を形成した後に該導電性高分子を脱ドープして、積層体を作成する。また、積層体を、導電性高分子にドープするイオンのドーピングが実質的に起こらない酸性度に調整された、イオンを含む電解液中に浸漬し、所望のパターンに形成された電極を用いて該電解液に通電することにより、該導電性高分子に電気化学的に該イオンのドーピングを行う。なお、発光層が所定の繰り返し単位を1種類以上含み、それらの繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の50モル%以上100モル%以下であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が103〜108である高分子蛍光体を含む有機EL素子を利用する。
請求項(抜粋):
少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも導電性高分子を含む層と有機発光材料を含む発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、下記(A)および(B)の工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。(A)所望のパターンに形成された電極を有する基板上に、該電極を覆って、(a)脱ドープされた導電性高分子を含む層を形成して、または(b)導電性高分子を含む層を形成した後に該導電性高分子を脱ドープして、積層体を作成する工程、(B)該積層体を、該導電性高分子にドープするイオンのドーピングが実質的に起こらない酸性度に調整された、該イオンを含む電解液中に浸漬し、上記所望のパターンに形成された電極を用いて該電解液に通電することにより、該導電性高分子に電気化学的に該イオンのドーピングを行う工程。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  C09K 11/06 680 ,  H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/10 ,  C09K 11/06 680 ,  H05B 33/14 B
Fターム (12件):
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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