半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269913
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094428
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】IC装置における基準電位供給用パッドとストリング抵抗との間の基準電位配線の配線抵抗が許容値以上になっても、ストリング抵抗部の電位分布の直線性を精度良く確保し、DA変換などに際して高精度の変換を可能とする。【解決手段】外部から基準電位VREFH 、VREFL が供給される基準電位供給用パッド11、12と、複数のタップを有するストリング抵抗STRGと、パッド11、12とストリング抵抗の両端部との間に形成された基準電位配線13、14とを具備し、ストリング抵抗の一端部の抵抗素子の抵抗値は、中間部の抵抗素子の抵抗値と比べて基準電位配線13に寄生した配線抵抗に見合った分だけ低い値に予め設定されており、ストリング抵抗の他端部の抵抗素子の抵抗値は、中間部の抵抗素子の抵抗値と比べて基準電位配線14に寄生した配線抵抗に見合った分だけ低い値に予め設定されている。

請求項（抜粋）：

外部から第1の基準電位が供給される第1の基準電位供給用パッドと、複数のタップを有するストリング抵抗と、前記第1の基準電位供給用パッドとストリング抵抗の一端との間に形成された第1の基準電位配線と、外部から第2の基準電位が供給される第2の基準電位供給用パッドと、前記第2の基準電位供給用パッドとストリング抵抗の他端との間に形成された第2の基準電位配線とを具備し、前記ストリング抵抗の一端部の抵抗素子の抵抗値は、前記ストリング抵抗の中間部の抵抗素子の抵抗値と比べて前記第1の基準電位配線に寄生した配線抵抗分だけ低い値に予め設定されており、前記ストリング抵抗の他端部の抵抗素子の抵抗値は、前記ストリング抵抗の中間部の抵抗素子の抵抗値と比べて前記第2の基準電位配線に寄生した配線抵抗分だけ低い値に予め設定されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H03M 1/76 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03M 1/06

FI (3件)：

H03M 1/76 , H03M 1/06 , H01L 27/04 P

Fターム (19件)：

5F038AR09 , 5F038AR22 , 5F038AR24 , 5F038AV10 , 5F038AV13 , 5F038BB05 , 5F038BE09 , 5F038CA02 , 5F038CA04 , 5F038DF03 , 5F038DF12 , 5F038DF14 , 5F038EZ20 , 5J022AB05 , 5J022BA01 , 5J022CB02 , 5J022CF01 , 5J022CF07 , 5J022CG01

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-113672
特開平4-113672
特開平2-087649

全件表示

前のページに戻る