特許
J-GLOBAL ID：200903009095382692

保持時間及び書き込み速度の改善したPMCメモリ

発明者：
ヴェロニク・ソーサ

ヴェロニク・ソーサ について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-547596
公開番号（公開出願番号）：特表2008-526008
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
本発明は、メモリセル(4、6、8、10)と、メモリへの書き込み時における前記セルの加熱手段(16、18、20)とを備えたPMCメモリに関する。
請求項（抜粋）：
メモリセル(4、6、8、10)と、メモリへの書き込み時における前記セルの加熱手段(16、18、20)とを備えたPMCメモリ。
IPC (2件)：
H01L 27/10 ,  G11C 13/00
FI (2件)：
H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A
Fターム (3件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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