特許

J-GLOBAL ID：200903009127006124

温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法

発明者： 中村 昌照
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (3件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110779
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315281
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】温度勾配炉を用い、加熱源の移動を要さずに所望の温度勾配を形成し、横断面内の温度分布も均一化し、連続的に単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】柱状ワークに長手方向温度勾配を付与する温度勾配炉で溶液から単結晶を製造する方法であって、柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、原料棒、溶媒、種結晶、支持棒を積層して柱状ワークとし、原料棒の下端を柱状ワークの下端として加熱部により加熱させると共に支持棒の上端を柱状ワークの上端として冷却部により冷却させることにより、溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように柱状ワーク内に温度勾配を形成し、柱状ワーク下端の加熱温度を漸減させることにより、種結晶を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出により単結晶を製造する方法であって、上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、 上記炉内に下から順に原料棒と、溶媒と、支持棒の下端に支持された種結晶とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、 上記柱状ワーク下端の加熱温度を漸減させることにより、上記種結晶を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させることを特徴とする温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B11/00 ,  C30B29/36

FI (2件)：

C30B11/00 Z ,  C30B29/36 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CD04 ,  4G077EA02 ,  4G077EG20 ,  4G077HA12 ,  4G077MB07 ,  4G077MB22 ,  4G077MB26 ,  4G077MB33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体結晶の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053758   出願人：株式会社東芝
• 炭化珪素単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-134822   出願人：日本ピラー工業株式会社
• 特開昭63-184326