特許

J-GLOBAL ID：200903009181031720

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  石原 俊信 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  中村 二朗
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074629
公開番号（公開出願番号）：特開平8-248626
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 遠紫外線、電子線、X線などの高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】 下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される新規スルホニウム塩を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を示し、Yはトリフルオロメタンスルホネート又はp-トルエンスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、n+m=3である。)

IPC (3件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 新規なオニウム塩及びそれを用いたポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-242101   出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特開平4-219757
  
• 特開平4-215662
  
• 特開平4-248554
  
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152655   出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社