特許
J-GLOBAL ID：200903009188150562

発光装置および電子機器

発明者：
窪田 岳彦

窪田 岳彦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271575
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091237
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】発光装置において、封止層を構成する1層または複数層の薄膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができるようにする。【解決手段】基板10と、基板10上に配列され、発光層を挟む陽極81および陰極を有する複数のOLED50と、基板10上に形成され、複数のOLED(Organic Light Emitting Diode)50の陽極と陰極とを互いに絶縁する絶縁膜18と、基板10上に形成され、絶縁膜18の外側に位置する周辺壁20と、基板10上に形成され、複数のOLED50および絶縁膜18を覆う封止層とを備える。封止層は、1層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜18と周辺壁20との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜(有機緩衝膜22またはガスバリア層24)の端が位置する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に配列され、発光層を挟む二つの電極を有する複数の発光素子と、 前記基板上に形成され、前記二つの電極を互いに絶縁する絶縁膜と、 前記基板上に形成され、前記絶縁膜の外側に位置する周辺層と、 前記基板上に形成され、前記複数の発光素子および前記絶縁膜を覆う封止層とを備え、 前記封止層は1層または複数層の薄膜で構成され、 前記絶縁膜と前記周辺層との間には、前記1層または複数層の薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜の端が位置する、 ことを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
H05B 33/04 ,  H01L 51/50
FI (2件)：
H05B33/04 ,  H05B33/14 A
Fターム (12件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC23 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD90 ,  3K107DD93 ,  3K107DD95 ,  3K107EE46 ,  3K107EE49 ,  3K107EE54 ,  3K107FF15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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