特許
J-GLOBAL ID：200903009194226651
薄膜トランジスタの製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020541
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250749
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 触媒元素を用いて結晶化されたシリコン膜から成る活性層を有する薄膜トランジスタの特性・信頼性を改善する。【構成】 アモルファスシリコン膜103にニッケル等の触媒元素を添加して、熱アニールすることにより、これをガラス基板の歪み温度以下の温度で結晶化させて、TFTの活性層105を形成する。活性層105を100〜400°Cに加熱した状態で、N型もしくはP型不純物イオンを注入する。活性層105は適度に加熱されているので、不純物もその場で活性化され、イオン照射によるダメージは直ちに除去されて、欠陥・歪み等も残らない。この結果、ソース/ドレイン108、109とチャネルの境界に触媒元素が凝集するというような現象がなくなり、TFTの特性(特にオフ電流)、信頼性が向上される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、1×1015〜1×1019原子/cm3 の濃度の金属元素を有する薄膜状の非単結晶半導体被膜と、該非単結晶半導体被膜上に形成されたゲイト電極とを有する薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜トランジスタにN型もしくはP型の導電型を付与する不純物をドーピングする際に、基板を加熱した状態で、前記不純物イオンと、水素イオンもしくはハロゲンのイオンを加速して照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 616 L
, H01L 21/20
, H01L 21/265 A
, H01L 29/78 627 G
