特許
J-GLOBAL ID：200903009222946924

膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者：
林 英治

林 英治 について

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長谷川 公一

長谷川 公一 について

, 
徐 榮秀

徐 榮秀 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360177
公開番号（公開出願番号）：特開2001-354901
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などの層間絶縁膜材料として、比誘電率特性、低リーク電流特性、塗膜の機械的強度、溶液の保存安定性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物の製造方法を得る。【解決手段】 一般式1、2、3で表されるシラン化合物の1種以上を、触媒の存在下プロトン性有機溶剤中で加水分解し、次いで非プロトン性有機溶剤で抽出することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )-Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)(R:H、F、1価の有機基、R1〜R6:1価の有機基、R7:-O-、フェニレン、-(CH2)n-、a:1〜2,b、c:0〜2、d:0〜1、n:1〜6の整数)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を(B)触媒の存在下、(C)第一のプロトン性有機溶剤中で加水分解を行い、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕次いで(D)非プロトン性有機溶剤で抽出を行うことを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
IPC (7件)：
C09D183/02 ,  B32B 27/00 101 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (7件)：
C09D183/02 ,  B32B 27/00 101 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (47件)：
4F100AA12A ,  4F100AA20A ,  4F100AK52B ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ422 ,  4F100GB41 ,  4F100JG04 ,  4F100JG05 ,  4F100JK07 ,  4J038DL031 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038DL081 ,  4J038DL111 ,  4J038DL161 ,  4J038HA156 ,  4J038JA18 ,  4J038JA22 ,  4J038JA25 ,  4J038JA33 ,  4J038JA56 ,  4J038KA04 ,  4J038KA08 ,  4J038LA03 ,  4J038MA14 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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