半田バンプの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135073
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ方式のボンディングに適した形状と十分な体積を有するバンプを低コストかつ能率的に精度よく形成することを目的とする。【解決手段】半導体チップが実装される回路基板5上の電極端子2をソルダーレジスト4にてそれぞれ分離し、かつ、電極端子2はソルダーレジスト4の少なくとも一辺とは接していない設計とし、ソルダーレジスト開口部に埋め込んだクリーム半田を熱処理により、金属化し半田バンプを得る。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極端子に対向する位置に、それぞれ電極端子が形成された回路基板の上面に、前記回路基板の電極端子ごとに分離され、かつその電極端子とその周りの回路基板とが露出する開口部を有するソルダレジストを形成する工程と、前記開口部内にクリーム半田を埋め込む工程と、前記埋め込まれたクリーム半田を溶融した後、固化することにより、その表面張力によって前記電極端子上にのみ半田バンプを形成する工程とからなる半田バンプの形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 505 , H01L 21/60 311 , H01L 21/321

FI (3件)：

H05K 3/34 505 A , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 604 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭7-201870
半田バンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-170086 出願人：松下電器産業株式会社
バンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-001145 出願人：松下電器産業株式会社

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