特許

J-GLOBAL ID：200903009247919689

プラズマ処理装置

発明者： 宮城 勝伸 ,  片桐 源一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262259
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082493
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 プラズマによる悪影響をなくすことができ、しかもクリーニング処理も十分に行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空ポンプ106が直付けされた処理容器2内に、マイクロ波と磁界との相互作用により電子サイクロトロン共鳴を生ぜしめてプラズマを発生し、載置台4上に載置した被処理体Wに所定の処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記真空ポンプの取付面S1を、プラズマ領域Aから離間させてこれに臨ませないように設置すると共に前記取付面を前記載置台の載置面の水平レベルH1よりも下方に位置させるように構成する。これにより、プロセス時には、プラズマに起因して真空ポンプに成膜等が付着することを防止し、また、クリーニング時にはガス流の方向を斜め下方に向けるようにして効果的なクリーニングを行なう。

請求項（抜粋）：

真空ポンプが直付けされた処理容器内に、マイクロ波と磁界との相互作用により電子サイクロトロン共鳴を生ぜしめてプラズマを発生し、載置台上に載置した被処理体に所定の処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記真空ポンプの取付面を、プラズマ領域から離間させてこれに臨ませないように設置すると共に前記取付面を前記載置台の載置面の水平レベルよりも下方に位置させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 C ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071931   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-268885   出願人：住友金属工業株式会社