電子デバイス、電子デバイスの製造方法、および平面インダクタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270323
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】平面インダクタ等の電子デバイスにおいて、導体層の平坦化を適正な膜厚の絶縁材料層で実現すると共に、絶縁材料層の体積収縮等による応力を緩和することが求められている。【解決手段】凹凸形状を有する導体層2と、この導体層2の凸部2a間に埋め込まれつつ、導体層2の上部を平坦化するように積層形成された絶縁材料層4とを具備する電子デバイスにおいて、絶縁材料層4をその耐熱温度より低いガラス転移点を有する耐熱性絶縁材料3で構成する。絶縁材料層4は、耐熱性絶縁材料3の塗布層に対してガラス転移点より高い温度で熱処理を施すことによって、耐熱性絶縁材料3の軟化により平坦化された上面4aを有する。

請求項（抜粋）：

凹凸形状を有する導体層と、前記導体層の凸部間に埋め込まれつつ、前記導体層の上部を平坦化するように積層形成された絶縁層とを具備する電子デバイスにおいて、前記絶縁層は、その耐熱温度より低いガラス転移点を有する耐熱性絶縁材料からなり、かつ軟化により平坦化された上面を有することを特徴とする電子デバイス。

IPC (2件)：

H01F 17/00 , H01F 41/12

FI (2件)：

H01F 17/00 B , H01F 41/12 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152535 出願人：富士通株式会社
特開平1-216543
特開昭63-246848

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