特許
J-GLOBAL ID：200903009264128989

磁気抵抗構造の製造方法および磁気抵抗型ヘッドの製造方法

発明者：
ロンフ シャオ

ロンフ シャオ について

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ツォ ジュ トン

ツォ ジュ トン について

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タイ ミン

タイ ミン について

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フイ ツワン ワン

フイ ツワン ワン について

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チン ツ ハン

チン ツ ハン について

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マオ ミン チン

マオ ミン チン について

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ポ カン ワン

ポ カン ワン について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312489
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176034
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 あとから形成する第2の反強磁性層を、(既に形成されている)第1の反強磁性層に影響を及ぼすことなく、同一または異なる材料により形成することを可能とする磁気抵抗構造の製造方法および磁気抵抗型ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性層AFM1を有する磁気抵抗素子を含む磁気抵抗構造を形成したのち、強磁界下で高温で第1のアニール工程を行う。次に、第2の反強磁性層AFM2を含む残りの磁気抵抗構造を形成したのち、弱磁界(Hann )アニール工程を行う。次に、外部磁界を印加しない(Hann =0)アニール工程を高温で行い、第2の反強磁性層AFM2の交換磁界Hexを全強度まで増加させる。これにより、第1の反強磁性層AFM1の交換磁界Hexは、たとえそれが弱磁界アニール期間中に低下していても、増加するため、その安定性が向上する。
請求項（抜粋）：
第1の反強磁性層を有する磁気抵抗素子を含むこととなるように、磁気抵抗構造の一部を形成する工程と、前記第1の反強磁性層を含む前記磁気抵抗構造の一部に対して、強磁界下において高温のアニール処理を行う第1のアニール工程と、第2の反強磁性層を含むこととなるように、前記磁気抵抗構造の残りの部分の形成を完了する工程と、前記第2の反強磁性層の形成が完了した前記磁気抵抗構造に対して、弱磁界下でアニール処理を行う第2のアニール工程と、外部磁界を印加しない状態で、高温のアニール処理を行い、前記第2の反強磁性層の交換磁界をその全強度まで増加させる第3のアニール工程とを含み、これにより、前記第1の反強磁性層の交換磁界が前記第2のアニール工程の期間中に低下した場合に、その交換磁界を増加させて前記第1の反強磁性層の安定性を向上させるようにしたことを特徴とする磁気抵抗型ヘッドの製造方法。
IPC (5件)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (5件)：
G11B 5/39 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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