特許
J-GLOBAL ID：200903009265329597
アニールウェーハのボロン汚染消滅方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
清水 千春
, 尾股 行雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252608
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095717
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】シリコンウェーハのアニール処理に伴うボロン汚染の消滅方法、即ちアニール処理に伴うウェーハ表面近傍のボロン濃度増加の防止方法を提供することにより、ウェーハの表面とバルク中のボロン濃度差を無くすことである。【解決手段】表面に自然酸化膜が形成され、さらに環境或いはアニール処理前ケミカル処理に由来するボロンが付着したシリコンウェーハのアニール処理に際して、不活性ガスへの水素ガスの混合率が5%乃至100%である混合ガス雰囲気下で昇温を行い、ボロンを含む自然酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下でアニール処理することを特徴とするアニールウェーハのボロン汚染消滅方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
表面に自然酸化膜が形成され、さらに環境或いはアニール処理前ケミカル処理に由来するボロンが付着したシリコンウェーハのアニール処理に際して、不活性ガスへの水素ガスの混合率が5%乃至100%である混合ガス雰囲気下で昇温を行い、ボロンを含む自然酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下でアニール処理することを特徴とするアニールウェーハのボロン汚染消滅方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/324 W
, H01L21/324 X
, H01L21/304 645A
