特許
J-GLOBAL ID：200903098522406118
アニールウェーハの製造方法およびアニールウェーハ
出願人/特許権者：
信越半導体株式会社
信越半導体株式会社 について
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100634
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】シリコンウェーハ表面に環境からの付着ボロンを有するウェーハに不活性ガス雰囲気で熱処理を行なったとしても、ウェーハ表面の抵抗率の変化が発生しないような熱処理方法を用い、さらに、このような熱処理を、気密性を高めるためのシール構造や防爆設備等の特別な設備を必要とすることのない通常の拡散炉にて可能とするアニールウェーハの製造方法及びウェーハ表面近傍のボロン濃度が一定であり、かつ結晶欠陥の消滅したアニールウェーハを提供する。【解決手段】表面に自然酸化膜が形成され、かつ環境からのボロンが付着したシリコンウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気による熱処理を行うことにより前記自然酸化膜が除去される前に前記付着ボロンを除去し、その後不活性ガス雰囲気により熱処理することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
表面に自然酸化膜が形成され、かつ環境からのボロンが付着したシリコンウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気による熱処理を行うことにより前記自然酸化膜が除去される前に前記付着ボロンを除去し、その後不活性ガス雰囲気により熱処理することを特徴とするアニールウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平5-138536 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 -
ウエハの表面清浄化方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平11-047458 出願人：ソニー株式会社 -
シリコンウエーハ及びその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-309953 出願人：東芝セラミックス株式会社
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