特許
J-GLOBAL ID：200903034869366797
シリコンウェーハの熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058552
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】水素を用いた高温アニールの利点を活用しつつ、熱処理炉用部材などからの金属不純物によるウェーハ汚染を抑制する。【解決手段】シリコンウェーハの熱処理方法では、縦型拡散炉を使用し、その石英製炉心管内のウェーハ保持用ボート上にシリコンウェーハを積載し、このウェーハに対して水素とアルゴンとの混合雰囲気中で高温アニールを実施する。得られたウェーハの金属不純物の濃度(SPV法によるFe-B濃度)を測定したところ、水素の混合比率が100%(すなわち水素のみの従来例)と比べて、50%(実施例1)、25%(実施例2)、および10%(実施例3)と低くなる程、ウェーハ外周部のFe-B濃度も低くなることが確認された。
請求項（抜粋）：
ウェーハ保持用のシリコン製ボート上にシリコンウェーハを積載し、このウェーハに対して水素とアルゴンとの混合雰囲気中で高温アニールを実施することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 21/322
H01L 21/324 X
, H01L 21/324 Q
, H01L 21/322 Y
