特許
J-GLOBAL ID:200903009276397292
回路パターンの形成方法及びそれに用いられるレチクル
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-006394
公開番号(公開出願番号):特開平7-211619
出願日: 1994年01月25日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 マトリクス状に形成する回路パターンのエッジ処理に必要なダミーパターンを除去することと、形成された回路パターンのパターン寸法のリニアリティを確保することと、シフタ形成等におけるレイアウトルールの上で許されない隣接パターンにおいて、位相シフト法あるいは変形照明法を行うことが可能な技術を提供することにある。【構成】 設計された回路パターンが形成されたレチクルをマスクに半導体基板を露光して回路パターンを形成する回路パターンの形成方法において、前記半導体基板上の選択された同一箇所に、レチクルに形成された複数のマスクパターンを別々に露光して一つの回路パターンを形成する。
請求項(抜粋):
設計された回路パターンが形成されたレチクルをマスクに半導体基板を露光して回路パターンを形成する回路パターンの形成方法において、前記半導体基板上の選択された同一箇所に、レチクルに形成された複数のマスクパターンを別々に露光して一つの回路パターンを形成することを特徴とする回路パターンの形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平4-355910
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ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-014147
出願人:沖電気工業株式会社
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特開平4-273427
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フオトマスクおよびそれを用いた露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-234488
出願人:株式会社日立製作所
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露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-124190
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-048715
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特開平4-206813
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特開平1-283925
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