特許

J-GLOBAL ID：200903009297452218

窒化ガリウム系半導体発光素子

発明者： 仁道 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091705
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、低動作電流、かつ低動作電圧の窒化ガリウム系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層側から順に第1のp型層と、第2のp型層が少なくとも積層された多層構造で、第1のp型層のバンドギャップが前記第2のp型層との界面付近を含む領域内で、前記第2のp型層側に向かってステップ状または連続的に小さくなっており、かつ前記第1のp型層の前記第2のp型層との界面でのバンドギャップが、前記第2のp型層の前記第1のp型層との界面でのバンドギャップと等しいかまたはより大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化ガリウム系半導体からなるp型層とn型層で活性層を挟んだ層構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記p型層が、前記活性層側から順に第1のp型層と、これと接した第2のp型層を少なくとも含む多層構造であり、かつ前記第1のp型層のバンドギャップが前記第2のp型層との界面付近を含む領域内で、前記第2のp型層側に向かってステップ状または連続的に小さくなっており、かつ前記第1のp型層の前記第2のp型層との界面でのバンドギャップが、前記第2のp型層の前記第1のp型層との界面でのバンドギャップと等しいかまたはより大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041AA32 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215147   出願人：富士通株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206937   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-085981
  
• ミニバンドを有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-052135   出願人：シャープ株式会社