特許

J-GLOBAL ID：200903015369024453

半導体装置の製造方法

発明者： 大野 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144788
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】コンタクト底部へのダメージ層の形成を抑え、さらにコンタクト底部のエッチング時のコンタクト径の拡がりを抑制して、コンタクト抵抗の増大と接合リーク電流の増大の生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体被覆層22と半導体被覆層を被覆する層間絶縁膜23を形成し、コンタクトホール開口部をパターニングしたマスク層24を形成し、マスク層及び層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを開口して半導体被覆層表面でエッチングを停止し、コンタクトホール内壁を被覆するサイドウォール層25aを形成し、エッチングによりコンタクト底部の半導体被覆層除去し、半導体基板を露出させる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板を被覆する半導体被覆層を形成する工程と、該半導体被覆層を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜上にマスク層を形成する工程と、該マスク層及び該層間絶縁膜を貫通して該半導体被覆層に達するコンタクトホールを形成する工程と、少なくとも該コンタクトホール側壁を被覆するサイドウォール層を形成する工程と、該半導体被覆層をエッチングして該半導体基板表面を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 29/78 301 Y

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-104260
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-287754   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204861   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-104260
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-287754   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204861   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-104260