特許
J-GLOBAL ID：200903009332162180
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227582
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097209
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 配線層の下地膜などとして用いられるバリア膜などとして用いて好適な膜の構造および製造方法を提供すること。【構成】 窒素を含む化合物膜を少なくとも有する半導体装置であって、窒素を含む化合物膜(たとえばTiN膜)が、不活性ガス(Ar)に対する窒素(N2 )のガス流量比が、0.125以上1.0以下の条件で成膜される。このTiN膜は、配線層と半導体とのコンタクト部の下地膜の一部、あるいは下層配線層と上層配線層とがコンタクト部を通じて接続される半導体装置において、下層配線層の上に積層される積層膜の一部として用いられる。TiN膜の上には、TiON膜などが成膜され、反射防止膜としても機能する。
請求項（抜粋）：
窒素を含む化合物膜を少なくとも有する半導体装置であって、前記窒素を含む化合物膜が、不活性ガスに対する窒素のガス流量比が、0.125以上1.0以下の条件で成膜される半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
, H01L 21/203
