特許
J-GLOBAL ID:200903009343451400
ハロゲン化タンタル前駆体からのTaN膜の熱CVD
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-613853
公開番号(公開出願番号):特表2002-543282
出願日: 2000年04月25日
公開日(公表日): 2002年12月17日
要約:
【要約】高品質の整合性窒化タンタル(TaNx)膜を、無機五ハロゲン化タンタル(TaX5)前駆体および窒素から蒸着させる熱化学蒸着法が記載される。無機ハロゲン化タンタル前駆体は、五フッ化タンタル(TaF5)、五塩化タンタル(TaCl5)および五臭化タンタル(TaBr5)である。TaX5蒸気が加熱されたチャンバー(11)に送出される。この蒸気は窒素を含んでいるプロセスガスと化合せしめられて、300〜500°Cに加熱されている基板上にTaNxを蒸着させる。蒸着されたTaNx膜は、特に、小さい高アスペクト比フィーチャー中に銅の膜を含んでいる集積回路に有用である。これら膜の高い整合性は、PVDで蒸着された膜よりも優れている。
請求項(抜粋):
窒化タンタル(TaNx)膜を基板上に蒸着させる方法であって、ハロゲン化タンタル前駆体の蒸気を、該基板が入っている反応チャンバーに、該前駆体を気化させるのに十分な温度まで該前駆体を加熱することにより与え、次いで該蒸気を窒素を含んでいるプロセスガスと化合させて該TaNxを該基板上に熱化学蒸着(CVD)法で蒸着させる工程を含む、上記の方法。
IPC (3件):
C23C 16/34
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
FI (3件):
C23C 16/34
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/285 C
Fターム (22件):
4K030AA02
, 4K030AA03
, 4K030AA04
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA17
, 4K030BA38
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104BB17
, 4M104BB32
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104HH05
, 4M104HH13
, 4M104HH14
引用特許:
審査官引用 (2件)
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バリア膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-225711
出願人:日本真空技術株式会社
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特開平3-104871
引用文献:
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