特許

J-GLOBAL ID：200903009356986450

半導体装置およびその製造方法

発明者： 星野 孝志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000213
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184327
出願日： 2006年01月04日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置としてのSBD10は、半導体からなる基板11と、基板11上に形成されたn型層12と、n型層12上に配置されたアノード電極14と、アノード電極14に接続され、n型層12に突出するp型領域13とを備えている。p型領域13は、n型層12との境界領域において、境界領域に隣接するp型領域13内の領域である高不純物領域13Bよりも導電型がp型であるp型不純物の濃度の低い低不純物領域13Aを含んでいる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体からなる第1導電型の基板と、 前記基板上に形成された第1導電型の半導体層と、 前記第1導電型の半導体層上に配置された電極と、 前記電極に接続され、前記第1導電型の半導体層に突出する、前記第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の半導体領域とを備え、 前記第2導電型の半導体領域は、前記第1導電型の半導体層との境界領域において、前記境界領域に隣接する前記第2導電型の半導体領域内の領域よりも第2導電型の不純物の濃度の低い低不純物領域を含んでいる、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12

FI (4件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652C

Fターム (21件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GR07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-340773   出願人：富士電機株式会社
• ショットキーダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-110591   出願人：株式会社デンソー