半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224281
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】従来ダイオードと比べて、逆回復電流の低減、逆回復損失の低減および一層のソフトリカバリー化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】pアノード層3bを、低ドーズ量で、高加速電圧のイオン注入で形成し、コンタクト層となるpアノード層3cを、高ドーズ量で、低加速電圧のイオン注入と低温アニールで形成することで、pアノード層3cに多数の欠陥を残留させ、この欠陥で、pアノード層3cのライフタイムを低下させて、逆回復電流と逆回復損失は低下させ、一層のソフトリカバリー化を図る。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一方の表面層に形成した第2導電型のアノード層と、該アノード層表面に形成したアノード電極と、他方の表面に形成した第1導電型のカソード層と、該カソード層表面に形成したカソード電極とを具備する半導体装置において、前記アノード層が、低濃度で深いアノード層と該低濃度のアノード層の表面層に形成する高濃度で浅いアノード層とを有し、該高濃度のアノード層のドーズ量が3×1012cm-2以上3×1013cm-2以下であり、前記低濃度のアノード層の深さが2μm以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/91 J , H01L 29/91 C , H01L 29/48 F

Fターム (11件)：

4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD19 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第4641174号明細書
特許第3149483号(図1)
整流用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037573 出願人：新電元工業株式会社

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