特許
J-GLOBAL ID：200903047158691479
ショットキーダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-110591
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314099
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 逆方向の電界緩和効果を低下させることなく、低オン抵抗化を図り、順方向のオン電圧を低減することで損失を低減する。【解決手段】 n-型エピ層2の表層部に複数のp型拡散層3を形成する。p型拡散層3の上部領域3aよりも下部領域3bの方が幅が広くなるようにし、下部領域3bにおいて隣り合うp型拡散層3同士の距離が短くなるように構成する。このようなショットキーダイオードにおいては、各p型拡散層3の下部領域3bから伸びる空乏層によって各p型拡散層3の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。また、p型拡散層3の上部領域3aの幅を狭くしてあるため、n-型エピ層2のうちショットキー電極5との接触部位を広くとれ、n-型エピ層2とショットキー電極5との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の表面上に形成され、前記半導体基板よりも低濃度の炭化珪素からなる第1導電型の半導体層(2、2a)と、前記半導体層の表層部に複数個形成された第2導電型の拡散層(3)と、前記拡散層の表面及び前記半導体層の表面に形成され、前記拡散層及び前記半導体層とに電気的に接続されたショットキー電極(5)と、前記半導体基板の裏面側に形成されたオーミック電極(6)とを備え、前記複数個の拡散層は、前記半導体基板から遠い側に相当する上部領域(3a)と近い側に相当する下部領域(3b)とを有して構成され、前記下部領域において隣り合う前記複数個の拡散層同士の距離が短くなるように構成されていることを特徴とするショットキーダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872
, H01L 21/265
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
, H01L 21/265 Z
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD34
, 4M104DD78
, 4M104FF31
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
