特許
J-GLOBAL ID：200903009377268230

無電解メッキ方法、積層体の製造方法、積層体及びこの積層体を用いた装置

発明者：
杉山 稔

杉山 稔 について

, 
原 進

原 進 について


出願人/特許権者：
イーメックス株式会社

イーメックス株式会社 について


代理人 (1件)： 宮崎 伊章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434471
公開番号（公開出願番号）：特開2005-187926
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 金属層と高分子電解質層との積層体であって、従来の屈曲よりも大きな屈曲が必要とされる用途に用いることができる積層体を得ることができる無電解メッキ方法を提供する。【解決手段】 高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して110%以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法を用いる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高分子電解質への無電解メッキのための前処理の工程として、良溶媒または良溶媒を含む混合溶媒を浸透させて高分子電解質を膨潤させる膨潤工程であって、膨潤した前記高分子電解質が所定の形状を有し、前記高分子電解質の膨潤した状態での厚さが前記高分子電解質の乾燥した状態での厚さに対して110%以上である膨潤工程を行うことを特徴とする高分子電解質への無電解メッキ方法。
IPC (3件)：
C23C18/20 ,  C23C18/16 ,  H02N11/00
FI (3件)：
C23C18/20 Z ,  C23C18/16 A ,  H02N11/00 Z
Fターム (8件)：
4K022AA11 ,  4K022AA16 ,  4K022AA21 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA18 ,  4K022CA02 ,  4K022DA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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