プロセス装置及び表面処理方法並びにガス供給配管系

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-336401
公開番号（公開出願番号）：特開平8-277464
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、大規模ガス精製装置と特殊配管を使用せずに、高純度なガスを供給することが可能なガス供給系、高性能薄膜の形成及び高精度の微細加工、表面処理が可能なプロセス装置及び表面処理方法を提供することを目的とする。【構成】プロセスガスを導入する配管系の内、少なくとも1種のプロセスガス1の配管系は2本以上並列に取り付けられたことを特徴とする。また、前記2本以上並列に取り付けられた配管系のそれぞれに独立してプロセスガスを導入でき、プロセスガス中の不純物を吸着4a,4bによって除去する構造とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プロセスガスを導入する配管系の内、少なくとも1種のプロセスガスの配管系は2本以上並列に取り付けられたことを特徴とするプロセス装置。

IPC (8件)：

C23C 14/34 , C23C 14/32 , C30B 25/14 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 21/203 , H01L 21/3065

FI (8件)：

C23C 14/34 , C23C 14/32 , C30B 25/14 , H01L 21/205 , H01L 21/285 S , H01L 21/31 C , H01L 21/203 S , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-141404
特開平3-285049
特開平4-087614

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