特許
J-GLOBAL ID：200903009410290556
半導体装置およびそれを備えた画像表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-260779
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107150
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 レーザ照射による照射部周辺に存在する素子の破壊および特性劣化を防止する。上記照射部周辺に存在する配線の断線および隣接配線同士の短絡を防止する。装置の良品率および信頼性を向上させる。【解決手段】 レーザ照射領域1d、1e、2d、2eの周辺部分、すなわち、TFT1、2間の空きスペース、および、TFT1、2、データ信号線SLi、走査信号線GLj、画素電極6で囲まれた空きスペースに、レーザ照射時に発生する熱を吸収する保護パターン4、5をそれぞれ設ける。これにより、レーザ照射によって発生する熱は、この熱吸収部材によって吸収され、レーザ照射領域1d、1e、2d、2e周辺に存在する正常な素子、配線等に上記の熱が伝搬されるのが回避される。上記の保護パターン4、5は、熱伝導性が高い材料であれば特定する必要はなく、例えばアルミニウム等の金属で構成される。
請求項（抜粋）：
基板上に複数のスイッチング素子と複数の配線とが設けられて回路が構成された半導体装置において、上記配線におけるレーザ照射領域の周辺部分に、レーザ照射によって発生する熱を吸収する熱吸収部材が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/82
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01S 3/00
H01L 21/82 R
, H01L 27/12 C
, H01S 3/00 F
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
