特許

J-GLOBAL ID：200903009416890709

結晶化セラミック膜の製造方法及びそのセラミック膜

発明者： 呂 宗▲斤▼
出願人/特許権者： 呂 宗▲斤▼
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-146421
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 高圧気相中でセラミック膜の結晶化を促進すること。【解決手段】 非晶質や部分結晶化したセラミック膜を高圧の気相中で熱処理することにより、低温で結晶化した。本発明は有効的にセラミック膜の性質を改善し、又プロセス中のエネルギを減少することができる。結晶化温度の低減によって、膜と基板の界面反応を減少し、膜の成分と特性の劣化を避けることができる。本発明は膜の粒径を減少し、膜の平坦度を向上できる。本発明はDRAM、不揮発性RAM、積層コンデンサ、アクチュエータ、圧電デバイス、焦電デバイス、センサ、光電表示装置、光電スイッチ、非線形光学デバイス、導電性膜、反射と反射防止膜などの電子デバイス又は光電デバイスに応用することができる。

請求項（抜粋）：

結晶化セラミック膜の製造方法であって、基板上に、非晶質又は部分結晶化セラミック膜を化学的方法に又は物理的方法により形成した後、前記セラミック膜を5大気圧以上の高圧気相中に熱処理することにより結晶化させることを特徴する結晶化セラミック膜の製造方法。

IPC (8件)：

C01G 1/02 ,  B01J 3/00 ,  C01B 13/14 ,  C01G 25/00 ,  C01G 33/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/56

FI (8件)：

C01G 1/02 ,  B01J 3/00 A ,  C01B 13/14 Z ,  C01G 25/00 ,  C01G 33/00 A ,  C01G 35/00 C ,  C23C 14/58 A ,  C23C 16/56

Fターム (44件)：

4G042DA02 ,  4G042DB05 ,  4G042DB06 ,  4G042DB22 ,  4G042DB24 ,  4G042DB31 ,  4G042DC01 ,  4G042DD02 ,  4G042DE03 ,  4G042DE12 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BD08 ,  4K029CA06 ,  4K029GA01 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030DA09 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-001668   出願人：シャープ株式会社
• 金属酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-291308   出願人：株式会社関西新技術研究所