特許
J-GLOBAL ID：200903009422446926
半導体電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314734
公開番号（公開出願番号）：特開2001-136732
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】本発明はスナバ回路を必要とせずに、スイッチング動作時のピーク電圧の抑制を行う半導体電力変換装置を提供する。【解決手段】ゲートに順バイアスと逆バイアスを印加し半導体素子のエミッタを中点電位とする電圧印加手段と、コレクタとエミッタ間の電圧を分圧する分圧手段とを備え、駆動信号がオフの場合にゲートに分圧手段により分圧された電圧が印加し、コレクタとエミッタ間電圧が分圧手段により定まる電圧以上となった場合に、コレクタとエミッタ間電圧に応じてゲート電圧を制御するようにする。【効果】本発明によればスナバ回路を省略することによりスナバ損失がなくなり、電力変換装置の小形化,高効率化および低コスト化を達成できる。
請求項（抜粋）：
ゲート状態に応答してコレクタとエミッタ間の電流を制御する半導体素子と、前記ゲートに接続され入力される駆動信号に基づいて前記ゲートを駆動する駆動手段と、前記ゲートに順バイアスと逆バイアスを印加し前記半導体素子のエミッタを中点電位とする電圧印加手段と、前記半導体素子のコレクタとエミッタ間の電圧を分圧する分圧手段とを備え、前記駆動信号がオフの場合に前記ゲートに前記分圧手段による分圧に基づく電圧が印加し、前記半導体素子のコレクタとエミッタ間電圧に応じて前記ゲート電圧を制御することを特徴とする半導体電力変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 1/08 A
, H02M 1/00 F
5H740AA04
, 5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740HH06
, 5H740JA01
, 5H740JB02
, 5H740MM01
