特許
J-GLOBAL ID：200903009433201747
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087615
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】高密度かつ均一な量子ドットを形成でき、利得が大きく、直接変調してもチャーピングが発生しにくい半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】GaAs半導体基板上にAlGaAsクラッド層52を形成し、その上にi型GaAs層53を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、GaAs層53にストライプ状の溝54を形成した後、MBE法によりInAs層を形成する。このとき、基板温度の上昇に伴い、凸部の縁がなだらかに変形して平坦な部分が殆どなくなる。そして、凸部の傾斜面にはInAsが殆ど堆積せず、溝54の底部にInAsがS-Kモード成長して、相互に離隔したInAs島が形成される。このInAs島をi型GaAsで覆うと量子ドットが形成される。このようにして、溝54を用いて量子ドットの周期構造を形成する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に周期的な凹凸を形成する工程と、
前記半導体層の凸部の平坦な面を凹部の底部に向って傾斜する面に変形させる工程と、
前記凹部の内側にのみ量子ドットが3次元方向に並んだ活性層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F073AA11
, 5F073AA65
, 5F073AA75
, 5F073AA83
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CB02
, 5F073DA04
, 5F073DA06
, 5F073DA07
, 5F073EA29
, 5F103AA04
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL03
, 5F103RR07
