特許
J-GLOBAL ID：200903009445750525

SOI基板の製造方法

発明者：
森田 悦郎

森田 悦郎 について

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谷口 徹

谷口 徹 について

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小松 圭

小松 圭 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

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三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079509
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246506
出願日： 1996年03月06日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 支持基板用ウェーハの面取り部の形状を変更することなくSOI基板を作製する。SOI基板の面取り面の形状を任意の形状に形成可能とする。【解決手段】 活性層用シリコンウェーハA(鏡面ウェーハ)表面に熱酸化膜SiO2を形成する。これと同一口径の支持基板用シリコンウェーハB(鏡面ウェーハ)を準備する。ウェーハ同士を室温で重ね合わせ、張り合わせ熱処理を行う。張り合わせ基板の活性層用ウェーハ周縁部に面取りを施す。面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン層を5μmだけ周縁部に残す。残ったシリコン層をエッチングし、絶縁膜を露出させる。活性層用ウェーハを研削し、研磨する。10μmの活性層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたSOI基板を得る。発塵をなくすことができる。支持基板側部分にMOS用、バイポーラ用のウェーハを用いてSOI基板を作製できる。
請求項（抜粋）：
支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとの間に絶縁膜を介在させたSOI基板の製造方法において、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを張り合わせた後、活性層用ウェーハの周縁部を面取りしてこの周縁部に所定厚さの活性層用ウェーハを残す工程と、この周縁部に残った活性層用ウェーハをエッチングして絶縁膜を露出させる工程と、活性層用ウェーハの表面部分を研削する工程と、この研削面を研磨する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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