特許
J-GLOBAL ID:200903009461897560

シリコンウェーハのエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須田 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-245264
公開番号(公開出願番号):特開平11-162953
出願日: 1998年08月31日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 シリコンウェーハのマクロな形状精度である平坦度とミクロな形状精度である表面粗さの双方を良好にする。【解決手段】 NH4OH水溶液、NaOH水溶液、KOH水溶液又はエチレンジアミン水溶液のようなアルカリ水溶液にCu,Ni又はFeの硝酸塩、硫酸塩又は塩化物のような金属塩、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤又は極性基を有する有機高分子を添加して調製されたエッチング液を20〜60°Cの温度にした後、このエッチング液にシリコンウェーハを浸漬してエッチングする。
請求項(抜粋):
アルカリ水溶液に金属塩、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤又は極性基を有する有機高分子を添加して調製されたエッチング液を20〜60°Cの温度にした後、前記エッチング液にシリコンウェーハを浸漬してエッチングすることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。
IPC (4件):
H01L 21/308 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (4件):
H01L 21/308 B ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/306 B
引用特許:
審査官引用 (5件)
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