特許

J-GLOBAL ID：200903009501049711

加速度センサー

発明者： 古市 眞治 ,  佐藤 孝 ,  斎藤 正勝
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355019
公開番号（公開出願番号）：特開2004-184373
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】ピエゾ素子面側の加速度センサー素子の汚れ等の異物により、錘部や可撓部の動きが制約され、出力、ノイズ、耐衝撃性の面で不具合が生じ、加速度センサーの性能と歩留りを低下させていた。【解決手段】錘部と規制板の間隔に比べ可撓部と規制板との間隔を大きくすることで、加速度センサー素子の可撓部等にある異物による出力、ノイズレベル、耐衝撃性への影響をなくし、加速度センサー素子の異物発生の許容部位を規定することと、段差を設けることでワイヤーの接続が容易な構造の規制板を用い、加速度センサーの組立を容易にする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

可撓部と錘部、支持枠よりなる加速度センサー素子の錘部の動きを規制する規制板と保護ケース等で構成された加速度センサーであって、加速度センサー素子上面の錘部と規制板の間隔に比べ可撓部と規制板との間隔が大きいことを特徴とする加速度センサー。

IPC (2件)：

G01P15/08 ,  H01L29/84

FI (2件)：

G01P15/08 P ,  H01L29/84 Z

Fターム (15件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA18 ,  4M112EA06 ,  4M112EA10 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-273618   出願人：松下電工株式会社
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-060954   出願人：株式会社ニコン
• 特開平4-274005